三星将采用台积电技术为英伟达生产下一代内存芯片

币界网消息，据《首尔经济日报》报道，三星电子将采用台积电的3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片。这标志着三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电的工艺制造NVHBM基底裸片，并采用第六代DRAM技术制造其核心芯片。三星在经过内部评估后接受了英伟达的要求，但计划继续采用自主生产模式来生产标准HBM以及面向其他客户的定制产品。